Модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные

Также эти изделия могут называться: optothyristor and optothyristor-diode modules.

Модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока, частотой до 500 Гц и применяются в устройствах, требующих гальванической развязки силовых и управляющих цепей.

Условные обозначения:

Модуль МД(ТО)ТО(Д)4(6,8,9)/3(6)- 40(63,80,100,125,160,200,250), где

М - модуль беспотенциальный.

Обозначение прибора первого вида или второго вида:

- Д - выпрямительный диод;

- ТО - оптронный тиристор (оптотиристор).

4, 6, 8, 9 - порядковый номер модификации корпуса модуля.

Обозначение вида схемы:

- 3 - два полупроводниковых прибора, включенных последовательно (соответственно) с выводом средней точки;

- 6 - два полупроводниковых прибора, включенных встречно-параллельно.

40, 63, 80, 100, 125, 160, 200, 250 - максимально допустимый средний прямой ток (в А).

Модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные, которые есть в наличии на нашем складе:

Также на сайте zapadpribor.com представлены похожие радиокомпоненты.

Технические характеристики:

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (U_DRM) и обратное напряжение (U_RRM) - от 400 В до 1600 В.

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии (I_TAVM) и прямой ток (I_FAVM) - от 40 А до 250 А.

Ударный ток в открытом состоянии (I_TSM) и прямой ток (I_FSM) - от 1,25 кА до 6 кА.

Тепловые параметры.

Максимально допустимая температура перехода (T_jm) - +100° С.

Минимальная допустимая температура перехода (T_jmin) - (-40)° С.

Температура корпуса (T_C) модулей оптотиристорных - +60° С.

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_thjc) одного элемента при постоянном токе для модификации корпусов:

- 4 - не более 0,6°С /Вт;

- 6, 8 - не более 0,25°С /Вт;

- 9 - не более 0,13°С /Вт.

Тепловое сопротивление корпус-охладитель (R_thch) одного элемента при постоянном токе - не более 0,1°С /Вт.

Тепловое сопротивление переход-среда (R_thja) одного элемента при естественном охлаждении и постоянном токе для модификации корпусов:

- 4 - не более 1,45°С /Вт;

- 6, 8 - не более 1,85°С /Вт.

Рекомендуемые охладители для модификации корпусов модулей оптотиристорных:

- 4 - ОР344-120; ОР344-180;

- 6, 8 - ОР344-120; ОР344-180; ОР344-240; ОР344-300; ОР344-350.

О127 заменяется на ОР344-120, О227 заменяется на ОР344-180.

Обратные параметры.

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (U_DSM) и обратное напряжение (U_RSM) при одиночном однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения длительностью не более 10 мс, температуре перехода (T_j) +25° С и максимально допустимой температуре перехода (T_jm) (цепь управления разомкнута) - от 450 В до 1800 В.

Постоянное напряжение в закрытом состоянии (U_D) и обратное напряжение (U_R) при температуре корпуса (T_C) - 0,6·U_DRM (0,6·U_RRM).

Импульсное рабочее напряжение в закрытом состоянии (U_DWM) и обратное напряжение (U_RWM) при однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения частотой 50 Гц, длительностью не более 10 мс, температуре перехода (T_j) +25° С и максимально допустимой температуре перехода (T_jm) - 0,8·U_DRM (0,8·U_RRM).

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (du_D/dt)_crit при равенстве напряжений U_DM и 0,67·U_DRM, времени t_{u min} 200 мкс и максимально допустимой температуре перехода (T_jm) (цепь управления разомкнута) для группы модулей оптотиристорных:

- 0 - не нормируется, не менее 10 В/мкс;

- 1 - не менее 20 В/мкс;

- 2 - не менее 50 В/мкс;

- 3 - не менее 100 В/мкс;

- 4 - не менее 200 В/мкс;

- 5 - не менее 320 В/мкс;

- 6 - не менее 500 В/мкс;

- 7 - не менее 1000 В/мкс.

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (I_DRM) и обратный ток (I_RRM) (кроме модификации корпусов 9):

- при температуре перехода (T_j) +25° С - не более 5 мА;

- при максимально допустимой температуре перехода (T_jm) и равенстве U_R и U_RRM (U_D и U_DRM) (цепь управления разомкнута) - не более 20 мА.

Прямые параметры.

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (I_TRMS) и прямой ток (I_FRMS) при однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения частотой 50 Гц, длительностью не более 10 мс и температуре корпуса (T_C) модулей оптотиристорных - от 63 А до 392 А.

Импульсное напряжение в открытом состоянии (U_TM) и прямое напряжение (U_FM) при одиночном однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения длительностью не менее 500 мкс, ток I_T 3,14·I_TAVM (I_F 3,14·I_FAVM) и температуре перехода (T_j) +25° С - не более 1,75 В.

Пороговое напряжение в открытом состоянии (U_T(TO)) и пороговое напряжение (U_TO) при максимально допустимой температуре перехода (T_jm) - не более 1,1 В.

Динамическое сопротивление в прямом направлении (r_T) при максимально допустимой температуре перехода (T_jm) для модификации корпусов:

- 4/3 - от 2,6 мОм до 5,2 мОм;

- 4/6 - от 1,1 мОм до 8,4 мОм;

- 6, 8 - от 1,1 мОм до 2,4 мОм.

Ток включения (I_L) (для модификации корпусов 4/3) - 70 мА; 100 мА.

Ток удержания (I_H) при температуре перехода (T_j) +25° С и равенстве U_D 12·В (цепь управления разомкнута) для модификации корпусов модулей оптотиристорных:

- 4/3 - не более 70 мА;

- 4/6, 4, 6, 8 - не более 100 мА.

Средний ток в открытом состоянии (I_TAV) и прямой ток по элементам (I_FAV) при работе одного модуля с охладителем, естественном охлаждении и температуре окружающей среды (T_a) +40° С для модификации корпусов:

- 4/3 - от 30 А до 47 А;

- 6, 8 - от 28 А до 44 А.

Параметры управления.

Отпирающее импульсное напряжение управления (U_GTM) при равенстве U_D 12·В и температуре перехода (T_j) +25° С для модификации корпусов:

- 4/3 - не более 2 В;

- 4/6 - не более 7 В (вариант І); не более 3,5 В (вариант ІІ);

- 6, 8 - не более 2,5 В.

Отпирающее импульсное напряжение управления (U_GTM) при равенстве U_D 12·В и минимально допустимой температуре перехода (T_jmin) для модификации корпусов модулей оптотиристорных:

- 4/3 - не более 3 В;

- 4/6 - не более 8 В (вариант І); не более 4 В (вариант ІІ);

- 6, 8 - не более 3,5 В.

Отпирающее постоянное напряжение управления (U_GT) при равенстве U_D 12·В и температуре перехода (T_j) +25° С для модификации корпусов:

- 4/3 - не более 1,6 В;

- 4/6 - не более 2 В;

- 6, 8 - не более 1,8 В.

Отпирающий импульсный ток управления (I_GTM):

- при температуре перехода (T_j) +25° С - 250 мА;

- при равенстве U_D 12·В и минимально допустимой температуре перехода (T_jmin) - 600 мА.

Отпирающее постоянный ток управления (I_GT) при равенстве U_D 12·В и температуре перехода (T_j) +25° С модулей оптотиристорных - 80 мА.

Максимально допустимый постоянный ток управления (I_GTmax) - 100 мА.

Максимально допустимый импульсный ток управления (I_GTMmax) - 700 мА.

Неотпирающее постоянное напряжение управления (U_GD) при постоянном напряжении источника управления, равенстве напряжений U_D и 0,67·U_DRM и максимально допустимой температуре перехода (T_jm) - не менее 0,9 В.

Параметры переключения.

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии (di_T/dt)_crit - не менее 100 А/мкс;

Заряд восстановления (Q_rr) для модификации корпусов:

- 4/3 - не более 175 мкКл;

- 6, 8 - не более 586 мкКл.

Время обратного восстановления (t_rr) для модификации корпусов модулей оптотиристорных:

- 4/3 - не более 10 мкс;

- 6, 8 - не более 17,5 мкс.

Время включения (t_gt) (для модификации корпусов 4/3) - 15 мкс.

Время выключения (t_q) для группы:

- Е2 - не более 500 мкс;

- Н2 - не более 400 мкс;

- К2 - не более 320 мкс;

- М2 - не более 250 мкс;

- Р2 - не более 200 мкс;

- Т2 - не более 160 мкс.

Условия установления норм для всех параметров переключений уточняются для каждой конкретной модификации.

Параметры изоляции.

Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами (U_isol) при нормальных климатических условиях, с частотой испытательного напряжения 50 Гц и длительности приложения напряжения 60 с (действующее значение, выводы 1, 2, 3 закорочены между собой):

- для класса от 4 до 8 - 2кВ;

- для класса от 9 до 16 - 2,5 кВ.

Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами (U_isol) при повышенной влажности не менее 80%, с частотой испытательного напряжения 50 Гц и длительности приложения напряжения 60 с - 1,5 кВ.

Сопротивление изоляции между беспотенциальным основанием и его выводами (R_isol) при U_isol 1·кВ и времени приложения испытательного напряжения не менее 10 с:

- при нормальных климатических условиях - не менее 50 МОм;

- при повышенной влажности не менее 80% - не менее 5 МОм.

Масса для модификации корпусов модулей оптотиристорных:

- 4 - не более 0,135 кг;

- 6, 8 - не более 0,21 кг.

При снижении температуры эксплуатации модулей МТОТО с индексом «А» в маркировке ниже +5° С необходимо переходить на импульсный режим работы по цепи управления.

Постоянный ток управления применим только для модулей с индексом «А».

Условия эксплуатации:

Климатическое исполнение - У2; Т3.

Температура окружающего воздуха:

- У2 - от -45° С до +40° С;

- Т3 - от +1° С до +40° С.

Максимально допустимая температура хранения модулей оптотиристорных:

- при обычном исполнении и У2 - +40° С;

- при исполнении T3 - +50° С.

Минимально допустимая температура хранения - (-40)° С.

Воздействие вибрационных нагрузок:

- диапазон частот - от 10 Гц до 100 Гц;

- ускорение - 50 м/с².

Одиночные удары:

- длительность импульса - 50 мс;

- ускорение - 40 м/с².

Модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, гамма - излучения).

Описание на модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные создано ООО «ЗАПАДПРИБОР» и добавлено на сайт zapadpribor.com. Использовать данный материал можно только с письменного разрешения правообладателя; указание ссылки на данную страницу zapadpribor.com/moduli-optotiristornye-i-optotiristorno-diodnye/ обязательно.